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台积电点燃A股SiC行情:AI封装材料革命的核心逻辑梳理(附股)

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发表于 2 小时前 | 查看全部 |阅读模式
导火索——台积电Q4业绩超预期

台积电公布2023年第四季度财报,业绩表现优于市场预期。

强劲的业绩印证了全球对先进半导体工艺,尤其是AI芯片及其核心制造技术——CoWoS先进封装的旺盛需求。市场预期台积电将持续扩大资本开支,以解决CoWoS产能不足的问题。

A股映射——为什么核心是SiC?(逻辑起点)

AI芯片的功率急剧上升,导致热量激增。

热量堆积在芯片内部难以散发,引发翘曲和裂纹。

这导致台积电的CoWoS先进封装良率低下,进而造成产能严重不足,成为制约整个AI产业发展的瓶颈。

为了解决瓶颈,行业必须进行先进封装扩产,并可能伴随涨价,因此资本市场高度关注这一领域。

传统用于CoWoS中介层的硅材料存在两大固有缺陷:

热导率低(仅130):散热慢,加剧了热堆积问题。

硬度低(莫氏硬度7):机械强度不足,难以抵抗热应力,更容易发生翘曲和裂纹。

为了量产,台积电已从CoWoS-S方案转向了性能稍作妥协的CoWoS-L方案。

但在更先进的B系列封装上,即使用CoWoS-L方案,依然出现了翘曲问题。

这证明硅材料在性能上已经达到物理瓶颈,无法满足下一代AI芯片的封装需求。

为什么最终选择SiC作为解决方案?

SiC凭借其卓越的物理性能,成为替代硅的最佳选择,具体优势如下:

热导率高(500):远高于硅(130)和玻璃(5)。核心优势是散热更快,能有效降低芯片结温,提升可靠性和性能。

硬度高(莫氏硬度9.5):远高于硅(7)。核心优势是应力表现更好,能有效抵抗热胀冷缩带来的形变,大幅减少翘曲和裂纹,从而提高封装良率。

工艺可行性高:相比金刚石等理论上更优但无法用现有半导体工艺加工的材料,SiC拥有数十年的芯片制造工艺积累,与光刻、刻蚀等现有技术完美兼容,具备大规模量产的现实基础。

“SiC有望成为CoWoS先进封装的新一代核心材料”。

这是“A股产业链第一次有望深度参与台积电最核心环节”。这意味着,以往主要服务于功率器件的国产SiC产业链,首次有机会切入全球最顶尖的AI芯片制造流程,其成长空间和估值逻辑发生了根本性改变。因此,台积电的利好被A股市场直接映射到了SiC板块。

二、核心标的解析:聚焦衬底与设备,把握国产突围机遇

衬底是SiC器件的基石,价值量最高,技术壁垒最深,是本次AI封装材料替代浪潮中最核心的受益环节。

1. 天岳先进:国内衬底龙头,卡位AI封装最前沿

国内碳化硅衬底绝对龙头,已构建从设备设计、粉料合成、晶体生长到衬底加工的全链条核心技术体系,是实现国产替代的中坚力量。

产品覆盖半绝缘型与导电型。其2019-2020年曾跻身半绝缘型衬底全球前三,彰显国际竞争力。当前,6英寸导电型衬底已达到国内领先、国际先进水平,并已成功送样多家国内外知名客户。

其产品已向台积电送样碳化硅中介层材料,是“A股产业链第一次有望深度参与台积电最核心环节”的典型代表。

中标国家电网采购,并与客户签有含税金额达13.93亿元的三年长期协议,充分证明产品获得了市场高度认可。

上海临港募投项目达产后将新增30万片/年产能,为承接未来爆发性需求做好准备。同时,公司积极推进8英寸衬底研发,持续引领技术迭代。

2. 三安光电:全产业链一体化巨头,双轮驱动增长

国内少数实现“衬底+外延+芯片”垂直一体化布局的半导体巨头。

一体化布局有效降低产业链协同成本,提升产品一致性和交付效率,竞争力更强。

产品可同时应用于功率器件(新能源汽车、光伏储能)和射频器件(5G通信)领域,受单一行业波动影响小。

公司不仅能受益于AI封装带来的衬底需求,更能享受新能源汽车、5G等传统优势领域的需求爆发,业绩增长的确定性和韧性更强。

3. 天富能源:稀缺参股平台,间接切入核心赛道

通过参股国内碳化硅衬底核心企业天科合达,以投资方式分享行业高增长红利。

天科合达是国内最早的SiC衬底企业之一,技术成熟,客户资源稳定,产品覆盖4-6英寸导电型与半绝缘型衬底。这是一种“隐形冠军”式的投资逻辑。

天富能源是一个门槛较低、能间接投资国内顶尖SiC衬底公司的稀缺通道。随着天科合达的业绩增长,其参股收益将持续增厚,为公司带来新的利润增长点。

4. 晶升股份:台积电供应链稀缺标的,核心受益于技术迭代

聚焦碳化硅长晶炉与外延设备,是国产SiC设备领域的领跑者。

公司“成功间接切入台积电先进封装供应链”,为天岳先进等头部衬底厂商提供SiC长晶炉,且“下游客户已向台积电送样碳化硅中介层材料”。这使其成为与台积电技术迭代节奏关联最直接、逻辑最顺畅的A股设备标的。

台积电上调资本开支,将直接拉动对先进设备的需求。公司作为技术领先者,将优先享受此轮产能扩张红利。

5. 晶盛机电:半导体设备平台型航母,多领域协同发展

国内晶体生长设备龙头,业务覆盖光伏、半导体硅片及碳化硅领域。

可提供从原料合成、晶体生长到衬底加工的全流程工艺设备,能为衬底厂商提供一体化解决方案,客户粘性高。

凭借在晶体生长领域的深厚积累,其SiC设备可满足大尺寸、高纯度的生产需求。

公司不仅受益于SiC产能扩张,其基本盘还深度绑定光伏行业增长,具备“光伏+半导体”双轮驱动的稳健特性,业绩增长弹性十足。

6、其他相关标的

宇晶股份、通威股份、华纬科技等公司。它们均与SiC产业链存在关联,可能涉及材料切割、上游材料布局或相关零部件等领域。这些公司同样有望受益于整个SiC行业的景气度提升

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