AI服务器电源核心赛道：DrMOS全景深度解析（附股）

泡股

全球AI算力芯片功耗持续飙升，GPU和CPU双重增量带来电源管理芯片需求呈指数级增长。

当前多相控制器+DrMOS已成第二阶段主流供电方案，AI渗透驱动电源芯片量价齐升。

DrMOS是单GPU用量突破百颗的高密度供电核心部件，也是服务器电源架构升级为AI供电架构的刚性增量。

AI服务器渗透率持续上升，相关电源管理芯片价值量上升。作为AI算力基础设施中的电源管理核心环节，DrMOS有望从高端服务器向通用AI服务器、边缘算力、智算中心全面普及。

近期海外头部厂商英飞凌宣布7月再次提价，MPS等海外厂商供应紧张，国产DrMOS厂商有望迎来量价齐升的高景气周期。

本文重点聚焦AI服务器电源管理高增长赛道DrMOS产业链、竞争格局和产业趋势。

01

什么是DrMOS？

DrMOS是Driver MOSFET的简称，是将驱动器与功率MOSFET集成在同一封装内的电源管理解决方案，旨在提升电源转换效率和系统密度。

传统方案需要2个芯片，DrMOS合二为一只需1个，体积更小、寄生参数更低、开关更快、损耗更低。

DrMOS 将 MOSFET 驱动器与功率 FET 直接集成在芯片上：

数据来源：all about circuits

此外，该方案还简化了PCB布局，提升热管理性能，特别适用于对空间和效率要求极高的数据中心及AI算力平台中的高密度电源应用。

作为CPU/GPU供电模组VRM中的核心功率开关器件，DrMOS负责将12V转换为芯片所需的低电压大电流。通俗来讲，CPU/GPU是跑车，VRM是燃油喷射系统，DrMOS就是精密喷油嘴，决定动力供给的效率和稳定性。

英伟达服务器中的DrMOS：

资料来源：英伟达

DrMOS内部包含三块：上MOS、下MOS、Driver。当前有两种主流技术路线：英飞凌方案是三块独立die再合封，MOS导通面积大、等效电阻低，但芯片体积大且键合线限制电流能力；MPS方案是三块集成为单die，体积小但需要20层以上mask，成本高。

图中展示了从传统分立式MOS结构向DrMOS集成方案的演进过程：



核心技术演进

DrMOS技术路线从8相到16相持续演进。

多相控制器是给CPU/GPU供电的智能分配器，相数越多，供电越精细、越稳定。

每一相都需要一颗DrMOS，16相就是16颗，加上CPU的20颗，单颗GPU就需要36颗以上。

AI GPU功耗超过1000W，12相已无法满足电流需求，16相成为标配。

当前16相控制器加高端DrMOS已成为服务器电源效率领先的核心路径。在PCB寸土寸金的服务器中，16相体积更小；开关频率一致下，在相同输出电容条件下，16相的纹波电压约为8相的一半，更易满足AI芯片的核心供电要求。

资料来源：乐晴智库

02

DrMOS产业链

DrMOS产业链上游是硅片、封装材料和专用设备，中游是芯片设计与制造（Fabless+Foundry），下游是电源模组厂商和终端品牌（服务器/PC/汽车），其中中游设计环节拿走约60%-70%的价值，制造环节约20%-25%，上游材料约10%-15%。



资料来源：乐晴智库

03

上游：硅片、封装材料、设备

DrMOS产业链上游价值占比约10%-15%，作为"卖铲子"的环节，价值占比不高但技术壁垒极强，直接决定中游良率。

硅片：DrMOS属于功率半导体，主流用8英寸硅片，部分先进制程开始切12英寸。硅片的电阻率均匀性和缺陷密度直接影响芯片耐压和导通电阻。全球主要厂商包括日本信越化学、中国台湾厂商环球晶圆、中国大陆厂商沪硅产业和立昂微等。

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封装环节：DrMOS核心封装是QFN/DFN，更先进的有ePQFN、CSP、SiP。包括：引线框架（铜合金高导热框架）。全球主要厂商包括日本三井金属、中国金达威；环氧模塑料EMC决定散热和可靠性，海外住友电木占约50%份额，国内厂商华海诚科已切入头部客户验证；焊锡球/铜柱用于底部散热，主要厂商有铟泰科技（中国台湾）、千住金属（日本）。

封装基板（ABF/BT）方面，当前ABF载板供给紧张，DrMOS需要高层数ABF，主要由日本和中国台湾厂商主导，中国大陆加速突破。味之素是ABF材料的垄断供应商，载板相关主要厂商包括Ibiden（揖斐电）、欣兴电子、南电、Unimicron、兴森科技、深南电路等。高端车规DrMOS开始用DBC/AMB基板，厂商有罗杰斯、博敏电子、中京电子等。

专用设备：晶圆减薄机和划片机由日本DISCO、东京精密主导；贴片和焊线机由ASM Pacific Technology和国内新益昌等厂商提供；测试设备头部厂商为日本爱德万以及国内厂商长川科技供应。

资料来源：乐晴智库

04

中游：芯片设计& 晶圆制造

中游价值占比合计约80%-95%，是整个链条的绝对利润中心。其中设计约60%-70%，制造约20%-25%。

芯片设计（Fabless）

DrMOS本质是功率MOSFET加驱动IC加保护电路的集成，设计难度在于高压大电流下的信号完整性、EMI控制和热管理。

当前服务器领域正从8相向12相、16相演进，单颗DrMOS电流从50A向80A甚至100A以上提升，直接推高了设计难度和芯片单价。

汽车领域要求AEC-Q101车规认证，认证周期长达1-2年，构成极高壁垒，英飞凌和TI在车规市占率合计超60%。

竞争格局

DrMOS是一个高度集中、技术壁垒极高的市场。

全球前四大厂商MPS、英飞凌、瑞萨、TI合计占据约85%的市场份额，国产厂商合计约7%。

英飞凌IR3599/IR38xx系列是服务器DrMOS绝对龙头，Intel、NVIDIA、AMD全覆盖，客户绑定极深，统治地位稳固。

但当前MPS、英飞凌license到期，海外供应出现缺口，叠加英伟达B200/GB200发布后单卡功耗突破1000W，电源相数从12相升至16相以上，供需紧张推动涨价趋势。

MPS：是中高功率DrMOS的性价比代表，2025年推出MP87670等新一代服务器DrMOS，但受license到期影响，供应出现紧张。

TI（德州仪器）在服务器和PC领域强势，SmartPower Stage系列持续迭代，12相DrMOS已量产。安森美在汽车和工业领域强，NCP51810系列车规DrMOS正在放量。瑞萨ISL99390在日系客户中粘性强，高可靠性、车规经验丰富，全球排名第二。立锜被联发科收购后整合进联发科生态，主要覆盖PC和服务器中低功率。AOS覆盖中低端市场，是价格战参与者。

当前海外大厂供应收缩是国产替代的催化剂，MPS和英飞凌license到期叠加英伟达需求暴增，供需缺口正在给国产厂商打开导入窗口。

此外，海外大厂英伟达、AMD、谷歌等主流芯片厂商均在引入第二供应商，DrMOS作为电源管理核心器件，国产链和海外链的市场空间广阔。

国内厂商中，杰华特在服务器DrMOS进展最快；晶丰明源在控制器加DrMOS一体化方案上具备差异化优势；芯朋微主业DrMOS打开巨大空间，消费级基本盘扎实服务器爬坡。

国产替代突破抓手在于：一是自研16相多相控制器，满足最高端AI供电需求，晶丰明源和杰华特已有布局；二是通过优化封装实现弯道超车，晶丰明源的独立die共封装方案在效率上已优于英飞凌和MPS。

晶圆制造（Foundry）

DrMOS用的是BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，也有部分用SGT或超级结艺。

BCD未形成统一工艺标准，各厂家将自己研发的 BCD 工艺视为核心竞争 力之一。

格芯22FDX是目前DrMOS出货量最大的单一工艺平台，在成本和性能之间找到了最优平衡点。台积电BCD性能最强但价格贵，主要用于高端服务器和车规。

国产代工方面，华虹半导体是国内最大的功率器件代工平台，已量产DrMOS，主要服务国产Fabless；士兰微和积塔半导体专注0.18μm BCD；中芯国际BCD工艺在推进中。

Drmos 核心壁垒在工艺:

数据来源：半导体材料与工艺设备

05

产业链下游：电源模组厂商&终端

DrMOS芯片卖给模组厂商，模组厂商做成VRM或电源板，再卖给终端。模组厂商本身利润薄，但决定了出货量规模。

电源模组：中国台湾地区以台达电子、光宝科技、群光电能、全汉为主，其中台达电子是全球最大服务器电源供应商，自研加采购DrMOS。中国大陆厂商中，欧陆通国内服务器电源新锐，已进入英伟达供应链；麦格米特布局服务器加工业电源，DrMOS采购量增长快；京泉华覆盖消费加工业电源；茂硕电源从LED驱动起家拓展服务器电源。

终端品牌拉动需求：AI服务器是当前最强驱动，NVIDIA的HGX/GB200、AMD的EPYC Genoa/Turin、Intel的Xeon 6都在推升DrMOS用量。单台服务器从4-8颗DrMOS，GB200需12-16颗。PC和笔记本领域，Apple M系列芯片自研PMIC减少了外部DrMOS需求，Intel和AMD平台仍需大量DrMOS。汽车领域，单车DrMOS用量从20-30颗向50-80颗增长，是长期最大增量。2025年中华为昇腾910C量产，国产AI芯片供应链加速导入。工业和通信领域，5G基站、光伏逆变器、数据中心电源也在用DrMOS。

当前最值得关注三个变量：AI服务器是最强驱动，GB200将DrMOS电流需求从50A推至80A+，直接拉高单价，海外厂商率先受益，国内厂商加速国产替代。车规认证是最深护城河，英飞凌和TI已验证超5年，国产即便参数达标也需18-24个月认证，2026-2027年才可能放量。当前国产替代加速向中高端渗透，产业链各环节有望迎来机遇。