HBM4E开始争夺“热阻”：SK海力士押注MR-MUF封装

泡股

当HBM堆到12层、速度推至16Gbps，封装里的温度余量开始决定下一代AI内存能跑多远。

HBM4E这轮升级有个容易被忽略的信号：性能竞争已经钻进封装内部，从带宽、容量延伸到了热阻、填充材料和堆叠稳定性。MR-MUF并非新名词，但它第一次被放进16Gbps、48GB和12层堆叠这组参数里重新审视。



图一：SK海力士6月18日公告显示，12层HBM4E已向主要客户送样，并重点强调MR-MUF与热阻改善。来源：SK海力士Newsroom。

SK海力士给出的数字很凶：12层堆叠、48GB容量、单引脚最高16Gbps，能效较前代提高超过20%。但真正让我停下来多看了一眼的，是公告里那句“相比HBM4，热阻改善17%”。一家内存厂商把热阻放进新闻摘要，说明散热已经不再是封装工程师自己的麻烦，而是产品能否按时量产的公开指标。

封装深处

MR-MUF究竟做了什么

MR-MUF全称Mass Reflow Molded Underfill，中文可以叫“批量回流焊模塑底部填充”。芯片完成批量回流连接后，液态保护材料填入层与层之间，再通过模塑固化形成整体。它同时处理三个难题：保护微小焊点、抑制翘曲，以及把堆叠内部的热更顺畅地导出去。

行业里还有TC-NCF等路线，它们强调逐层热压键合和薄膜填充。两条路线并非简单的高低之分：MR-MUF更看重批量制造效率与结构稳定，TC-NCF更依赖精密对准和单层工艺控制。到了HBM4E，谁能同时守住良率、厚度和热阻，谁才有资格谈大规模交付。

工艺继续往下拆，就会碰到Low-α球形二氧化硅、氧化铝等填料。这里的“低α”不是营销词：放射性杂质可能诱发存储软错误，颗粒尺寸、流动性与导热性又会影响微小间隙能否填满。HBM层数越高，材料的一点不稳定越容易被十二层结构放大，认证周期也因此很难被压缩。



图二：按热阻公式进行线性近似。该换算只讨论封装层，不等同于整机功耗可同比提升。

一笔换算

17%的热阻改善，比看起来更有分量

热阻可以粗略理解为“单位热流会带来多少温升”。若HBM4的热阻记作1，下降17%后就是0.83。在允许温差不变的条件下，理论可承载热流上限为1÷0.83，约等于1.205。换句话说，封装层留下的理论热流余量约增加20.5%。这不是整机性能承诺，却解释了SK海力士为何把MR-MUF写进公告标题级信息。



图三：A股材料公司的公开证据分层。产品方向接近，不代表已经进入SK海力士HBM4E供应链。

映射边界

A股能映射到哪一层

华海诚科披露，颗粒状环氧塑封料GMC与FC底填胶已陆续通过客户考核；联瑞新材明确把Chiplet、HBM列为重点应用，并布局Low-α球形二氧化硅、氧化铝等填料；德邦科技拥有芯片级底部填充胶和先进封装材料。三家公司分别贴近模塑料、功能填料和底填胶，但目前都缺少一块最硬的拼图：HBM4E客户、具体规格和批量收入的公开证明。

没有科创板权限的读者，主板和创业板可研究长电科技、通富微电等封测平台，不过它们距离MR-MUF材料卡点更远。只有当国内封测厂真正承接高层HBM堆叠，相关工艺能力才会从“先进封装概念”变成利润表里的增量。

反方条件

什么会让这条逻辑降温

这篇判断有三道闸门：送样能否按期转量产，16Gbps能否在客户系统里稳定运行，国内材料能否通过低放射性、翘曲和可靠性认证。任何一项延后，产业映射都会比股价慢得多。更长期看，TC-NCF、混合键合或新的散热结构也可能削弱MR-MUF的独占感。

HBM过去拼的是“能不能堆起来”，HBM4E开始追问“堆起来之后能不能持续跑”。接下来最值得盯的，不是又多了几个概念股，而是量产时间、良率，以及材料认证终于落到谁的收入里。

主要资料来源：SK海力士2026年6月18日官方公告、华海诚科2026年5月投资者关系活动记录、联瑞新材2025年年报及2026年投资者关系活动记录、德邦科技2025年年报及2026年投资者关系活动记录。